Các đặc điểm cơ bản của pin mặt trời bao gồm ba khía cạnh cơ bản: cực tính, thông số hiệu suất và đặc tính{0}}điện áp (V/V) dòng điện. Những điều này được giải thích chi tiết dưới đây:
1. Phân cực của pin mặt trời: Pin mặt trời silicon thường được sản xuất theo cấu trúc loại P+/N hoặc loại N+/P. P+ và N+ đại diện cho loại độ dẫn điện của vật liệu bán dẫn ở lớp phát sáng-phía trước-của pin mặt trời; N và P đại diện cho loại độ dẫn điện của vật liệu bán dẫn ở chất nền phía sau. Hiệu suất điện của pin mặt trời có liên quan đến đặc tính của vật liệu bán dẫn được sử dụng trong sản xuất nó.
2. Thông số hiệu suất của pin mặt trời: Các thông số hiệu suất của pin mặt trời bao gồm điện áp-mạch hở, dòng điện-ngắn mạch, công suất đầu ra tối đa, hệ số lấp đầy và hiệu suất chuyển đổi. Các thông số này là chỉ số về hiệu suất của pin mặt trời.
3. Đặc điểm dòng điện-V/V của pin mặt trời: Pin mặt trời tiếp xúc AP-N bao gồm một điểm nối P-N nông được hình thành trên bề mặt, một tiếp điểm ohmic phía trước có hình dạng dải- và hình ngón tay-, một tiếp điểm ohmic phía sau bao phủ toàn bộ bề mặt phía sau và một lớp phản chiếu-ở mặt trước. Khi tế bào tiếp xúc với quang phổ mặt trời, các photon có năng lượng nhỏ hơn vùng cấm Eg sẽ không đóng góp vào đầu ra của tế bào. Chỉ các photon có năng lượng lớn hơn vùng cấm Eg mới đóng góp năng lượng Eg vào đầu ra của pin; năng lượng nhỏ hơn Eg bị tiêu tán dưới dạng nhiệt. Do đó, tác động của lượng nhiệt này đến độ ổn định và tuổi thọ của pin phải được xem xét trong quá trình thiết kế và sản xuất pin mặt trời.